DMC1029UFDB-7

功能描述:MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

制造商:diodes incorporated

系列:-

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 和 P 沟道

FET 功能:标准

漏源电压(Vdss):12V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):5.6A,3.8A

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):29 毫欧 @ 5A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):19.6nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):914pF @ 6V

功率 - 最大值:1.4W

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装:U-DFN2020-6(B 类)

标准包装:1

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