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DMC1029UFDB-7

功能描述：MOSFET N/P-CH 12V 6UDFN

制造商：diodes incorporated

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：标准

漏源电压（Vdss）：12V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：5.6A，3.8A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：29 毫欧 @ 5A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：19.6nC @ 8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：914pF @ 6V

功率 - 最大值：1.4W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：6-UDFN 裸露焊盘

供应商器件封装：U-DFN2020-6（B 类）

标准包装：1

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